本报上海5月17日讯（记者黄辛）5月16日，2007年中科院创新案例系列讲座第一场报告会在中科院上海教育基地举行。中国科学院院士、第三世界科学院院士、中国科学技术大学校长朱清时和中科院上海微系统与信息技术所党委书记兼副所长、上海新傲科技有限公司董事长兼首席执行官王曦博士，分别以《我亲历的科技创新》、《新发于硎，傲然不群》为题，向在座的近400名和分会场的上千名研究生介绍了自己的科学研究历程、科技创新思维与价值观，并从不同的角度阐述了各自对科技创新的独到见解。

　　朱清时在报告中指出：“创新型人才最重要的素质就是发现机遇和抓住机遇的能力。”他认为，科学发现、技术发明的一个显著特点就是探索性。“新思想是创新的灵魂”，他要求同学既要追求自己的新思想，也要吸收别人的新思想。

　　王曦在报告里以自己的亲身经历告诉人们：“创新的成功，需要正确的价值观、事业心，要有赶超世界先进水平的勇气和志气，更要脚踏实地、艰苦奋斗。”

　　作为研发绝缘体上硅（SOI）的领军人物，今年41岁的王曦让世人刮目相看。

　　1998年，作为“洪堡学者”的王曦，结束了在欧洲最大的离子束材料研究基地的工作回国。当时，一种名叫绝缘体上硅的新技术被IBM用于服务器材料中，国际上公认其为21世纪的硅集成电路技术，是微电子和光电子领域发展的前沿。同时，SOI技术具有抗辐射的独特优越性，是微电子敏感核心技术。

　　我国虽从上世纪80年代起研究SOI技术，但一直处于论文和实验室阶段。由于SOI技术是微电子领域敏感的核心技术，西方国家对我国严密封锁这一技术。

　　“一定要成功研发出SOI材料，而且要走出实验室，真正走向市场。”王曦立下誓言。在国家“863”、“973”等重大研究计划支持下，王曦运用他专长的离子注入技术，带领团队进行一系列重大创新，终于获得突破，共申请了国家发明专利32项，并已授权16项。拥有SOI核心自主知识产权，形成我国首部SOI技术企业标准，并获得了2006年度国家科技进步奖一等奖。

　　他们从国家的需求出发，突破和自主开发了SOI材料制备成套的关键技术，建成中国唯一的SOI工业化生产线，生产的SOI材料系列产品性能指标达到或优于国际SEMI标准，从根本上解决了我国SOI材料的“有无”问题。在短时间内跻身国际高端硅基材料市场，实现了我国微电子材料的跨跃式发展。

　　王曦和他的团队填补了我国SOI晶片材料的空白，为民族电子产业发展作出了贡献。目前，他们又把眼光瞄向国际SOI产业“第二集团”领头羊的目标。

　　王曦说：“我想，之所以能较快取得技术和产品双重突破，长期技术积累、公司化运作、团队全身心投入、以市场为导向等都是关键因素。”

　　本次讲座通过视频会议系统在中国科学院研究生院、中国科技大学设两个互动分会场直播报告会实况，并实施互动交流。